双腔体高真空等离子体原子层沉积系统

简要描述：双腔室高真空等离子体ALD设备是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。

产品型号：QBT-A
厂商性质：生产厂家
更新时间：2024-05-08
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半导体行业专用仪器

PALD 粉体包覆 PALD厂家 ALD 原子层沉积设备

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详细介绍

    一、双腔室高真空等离子体ALD设备核心参数：

    价格区间：100万-200万

    产地类别：国产原子层沉积系统（ALD）

    衬底尺寸：Ф200mm

    工艺温度：RT-500±1ºC

    前驱体数：最大可包括3组等离子体反应气体4组液态或固态反应前驱体

    重量：300KG

    尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm

    均匀性：均一性<1%

    二、双腔室高真空等离子体ALD设备应用原理分析：

    原子层沉积（Atomiclayerdeposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。

    等离子体增强原子层沉积(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。

    三、厦门韫茂科技有限公司为您提供参数、价格、型号、原理等信息，产地为福建、品牌为韫茂，型号为QBT-A，价格为100万-200万RMB，更多相关信息可咨询，公司客服电话7*24小时为您服务。

    四、主要技术参数：

五、测试结果展示：

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